DFM - Ý tưởng về RAM mới với tốc độ nhanh và dung lượng lớn

DFM - Ý tưởng về RAM mới với tốc độ nhanh và dung lượng lớn

Tiến sĩ Masuoka Fujo được biết tới nhiều nhất với tư cách là người phát minh ra công nghệ bộ nhớ flash NAND. Đồng thời, ông cũng đóng vai trò tiên phong trong việc phát triển công nghệ DFM (Dynamic Flash Memory) trên RAM máy tính thế hệ mới.

Tiến sĩ Masuoka Fujo

Tiến sĩ Masuoka Fujo - người phát minh bộ nhớ flash NAND

Tại Hội thảo IEEE, tiến sĩ Masuoka Fujio lần đầu trình bày về ý tưởng dùng DFM với ứng dụng công nghệ SGT (Surround Gate Transistor) để nhằm thay thế DRAM.

Tiến sĩ Masuoka và những cộng sự tại Uni Santis đã thực hiện nhiều thử nghiệm chứng minh DFM đạt mật độ lưu trữ cao gấp 4 lần so với DRAM. Điều này cũng có nghĩa, chúng ta sẽ có thể lưu nhiều dữ liệu hơn trên 1 con chip trên RAM.

>>>Xem thêm: DRAM là gì? SRAM là gì? Điểm khác biệt giữa DRAM và SRAM

RAM DFM

RAM DFM

Bên cạnh khả năng lưu trữ, DFM cũng sở hữu băng thông lớn hơn để đọc và ghi dữ liệu. Nhờ thiết kế theo cấu trúc khối (block-based) nên có tốc độ truy cập nhanh hơn.

Như đã chia sẻ, hiện tại công nghệ DFM vẫn chỉ mới trong giai đoạn ý tưởng, sẽ phải mất thêm nhiều năm nữa mới có thể thay thế DRAM được. Tuy nhiên, Uni Santos cũng đang lên kế hoạch tìm đối tác để sản xuất bản mẫu.

DFM - Công nghệ RAM mới với khả năng lưu trữ lớn gấp 4 lần

09/06/2021 - Góc chia sẻ
RAM kiểu mới với tên DFM đang được dự kiến sẽ có mật độ dữ liệu lớn và tốc độ xử lý nhanh hơn so với các thế hệ RAM hiện tại. Tuy nhiên, người dùng sẽ phải chờ đợi thêm vài năm để thật sự được trải nghiệm dòng RAM này.

DFM - Ý tưởng về RAM mới với tốc độ nhanh và dung lượng lớn

DFM - Ý tưởng về RAM mới với tốc độ nhanh và dung lượng lớn

Tiến sĩ Masuoka Fujo được biết tới nhiều nhất với tư cách là người phát minh ra công nghệ bộ nhớ flash NAND. Đồng thời, ông cũng đóng vai trò tiên phong trong việc phát triển công nghệ DFM (Dynamic Flash Memory) trên RAM máy tính thế hệ mới.

Tiến sĩ Masuoka Fujo

Tiến sĩ Masuoka Fujo - người phát minh bộ nhớ flash NAND

Tại Hội thảo IEEE, tiến sĩ Masuoka Fujio lần đầu trình bày về ý tưởng dùng DFM với ứng dụng công nghệ SGT (Surround Gate Transistor) để nhằm thay thế DRAM.

Tiến sĩ Masuoka và những cộng sự tại Uni Santis đã thực hiện nhiều thử nghiệm chứng minh DFM đạt mật độ lưu trữ cao gấp 4 lần so với DRAM. Điều này cũng có nghĩa, chúng ta sẽ có thể lưu nhiều dữ liệu hơn trên 1 con chip trên RAM.

>>>Xem thêm: DRAM là gì? SRAM là gì? Điểm khác biệt giữa DRAM và SRAM

RAM DFM

RAM DFM

Bên cạnh khả năng lưu trữ, DFM cũng sở hữu băng thông lớn hơn để đọc và ghi dữ liệu. Nhờ thiết kế theo cấu trúc khối (block-based) nên có tốc độ truy cập nhanh hơn.

Như đã chia sẻ, hiện tại công nghệ DFM vẫn chỉ mới trong giai đoạn ý tưởng, sẽ phải mất thêm nhiều năm nữa mới có thể thay thế DRAM được. Tuy nhiên, Uni Santos cũng đang lên kế hoạch tìm đối tác để sản xuất bản mẫu.

Xem thêm

Tags: DFM, RAM
Đánh giá - Bình luận
Nhấn vào đây để đánh giá
X
Đặt lịch hẹn sửa chữa
Hãy đặt lịch trước để chúng tôi phục vụ bạn tốt hơn
Liên hệ tổng đài 1800 6024 - Hoặc 085 245 3366 để được đặt lịch.
X
Tra cứu bảo hành
Dễ dàng theo dõi tình trạng bảo hành máy của bạn
Tra cứu thông tin bảo hành

Nhập thông tin bảo hành

Đặt lịch

0.36243 sec| 2452.32 kb